Faixa de frequência nominal | 10.000~96.000MHz | |||
Tensão de alimentação | 1,68 V ~ 3,63 V | |||
Modo de oscilação | Fundamental (AT-cut) | |||
Tolerância de frequência a 25°C±3°C | ±1,0 ppm,±1,5 ppm ou especificar (após 2 refluxos) | |||
Faixa de temperatura operacional | -40°C~85°C | -40°C~105°C | -40°C~125°C | |
Frequência vs. Temperatura (Ref. a 25°C) | ±0,5 ppm | ±5,0 ppm | ±5,0 ppm |
1.6×1.2 mm SMD Crystals-TCXO
- 1. Ultra-small size: 1.65x1.25x0.63 mm
- 2. H Type Package
- 3. Alta precisão e estabilidade
Descrição
Modelo | WO1612 | |||
Faixa de frequência nominal | 10.000~96.000MHz | |||
Tensão de alimentação | 1,68 V ~ 3,63 V | |||
Modo de oscilação | Fundamental (AT-cut) | |||
Tolerância de frequência a 25℃±3℃ | ±1,0 ppm,±1,5 ppm ou especificar (após 2 refluxos) | |||
Faixa de temperatura operacional | -40℃~85℃ | -40℃~105℃ | -40℃~125℃ | |
Frequência vs. Temperatura (Ref. a 25℃) | ±0,5 ppm | ±5,0 ppm | ±5,0 ppm | |
Frequência vs. Tensão de alimentação (±5%) | ±0,1 ppm | |||
Frequência vs. Carga (±10%) | ±0,1 ppm | |||
Ciclo de trabalho | 40~60% | |||
Consumo atual | 2,0 mA MÁX. | |||
Nível de saída | 0,8 Vp-p MÍN. | |||
Carga de saída padrão | 10KΩ//10pF±10%/15PF | |||
Forma de onda de saída | Onda senoidal cortada/CMOS | |||
Tempo de inicialização (mais de 90% do final) | 2,0 ms MÁX. | |||
Ruído de fase (relativo ao deslocamento do nível f0 de 1 kHz) | -138 dBc/Hz | |||
Faixa de temperatura de armazenamento | -55℃~125℃ | |||
Envelhecimento no primeiro ano | ±1,0 ppm |
Etiquetas
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Imagem do produto | Modelo | Ficha de dados | Tamanho da embalagem (C x L x A) | Faixa de frequência | Tensão de alimentação | Tolerância de frequência | Estabilidade de frequência | Temperatura de operação | Consumo atual | Modo de saída | Pinos/Almofadas | Método de vedação | Em conformidade com RoHS | Pb livre |
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TCXO 2520 |
Ficha técnica |
2,5x2,0x0,83 | 10.000~54.000MHz | 1,68 V ~ 3,63 V | ±1,0 ppm | ±0,5 ppm | -30℃~85℃ | 2,0 mA máx. | Onda senoidal/CMOS cortada | 4 almofadas | Costura | Sim | Sim | |
TCXO 3225 |
Ficha técnica |
3,2 x 2,5 x 1,0 | 10.000~54.000MHz | 1,68 V ~ 3,63 V | ±1,0 ppm | ±0,5 ppm | -30℃~85℃ | 2,0 mA máx. | Onda senoidal/CMOS cortada | 4 almofadas | Costura | Sim | Sim | |
TCXO 2016 |
Ficha técnica |
2,0 x 1,6 x 0,8 | 10.000~54.000MHz | 1,68 V ~ 3,63 V | ±1,0 ppm | ±0,5 ppm | -30℃~85℃ | 2,0 mA máx. | Onda senoidal/CMOS cortada | 4 almofadas | Costura | Sim | Sim |